国家大基金三期2025年三季度开始投资阶段对二级市场投资机会
国家大基金三期已于2025年1月2日正式启动投资，首批出资金额高达1640亿元，主要投向两家子基金：华芯鼎新（北京）股权投资基金和国投集新（北京）股权投资基金。
三期投资方向：聚焦于半导体设备、材料、先进制造、AI芯片等关键领域，推动国产替代和产业链自主可控。
第一个投资标的：2025年9月，国投集新已计划出资不超过4.5亿元参与拓荆科技子公司拓荆键科的融资，可能成为大基金三期首个实际落地的半导体项目。
接下来机会还很多，毕竟资金规模3400亿，为一二期总和。
目前美国那边追赶的先进技术是英伟达，2025年下半年，英伟达（NVIDIA）最先进的研发方向集中在以下三大芯片方向，均围绕AI推理、大模型训练、具身智能与量子计算融合展开。预计三期大基金也会追赶这些现金技术的研发突破。重点关注HBM等高附加值DRAM芯片。
有了突破芯片技术的方向，那么研发它需要哪些光刻机和光刻胶材料呢？
| 工艺节点 | 光刻机类型 | 光源波长 | 备注 |
| -------------------------- | --------------------------- | ------------------- | ------------------------------ |
| **0.5μm ~ 0.35μm** | 步进式光刻机（Stepper） | g线（436nm）、i线（365nm） | 早期DRAM工艺，已淘汰 |
| **0.25μm ~ 0.13μm** | KrF Stepper | 248nm | 用于传统DRAM，如DDR2/DDR3 |
| **90nm ~ 45nm** | ArF Dry Stepper | 193nm | 中期DRAM工艺 |
| **3xnm ~ 1xnm**（如1z、1α、1β） | **ArF Immersion Scanner** | 193nm + 水浸没 | 当前主流，**无需EUV** |
| **1c nm（第六代10nm级）** | **ArF Immersion + 干式光刻胶系统** | 193nm | 三星2025年引入**干式光刻胶**技术，提升图形精度 |
| **未来：<1c nm（如1δ、1γ）** | **EUV Scanner**（ASML NXE系列） | 13.5nm | 三星、SK海力士、美光计划导入，用于**1γ nm及以下** |
| 光刻胶类型 | 波长 | 应用制程 | 是否用于DRAM |
| ----------------- | --------- | ------------- | ----------------- |
| **g线/i线光刻胶** | 436/365nm | 0.5μm~0.35μm | 早期DRAM，已淘汰 |
| **KrF光刻胶** | 248nm | 0.25μm~0.13μm | 是，传统DRAM |
| **ArF干法光刻胶** | 193nm | 90nm~45nm | 是 |
| **ArF浸没式光刻胶** | 193nm（水浸） | 3xnm~1xnm | ✅ **当前主流** |
| **干式光刻胶（Dry PR）** | 193nm | 1c nm | ✅ **三星2025年率先导入** |
| **EUV光刻胶** | 13.5nm | <1xnm（1γ及以下） | ✅ **未来方向** |
还有一个需要关注的光刻胶就是 HBM封装涉及多层芯片堆叠与互连，传统芯片一般不涉及像HBM那样的多层芯片堆叠+TSV+RDL的“3D系统级互连”，它们更多采用单芯片封装或简单的多芯片并排（MCM）方案。
资本市场前期炒作过常规的光刻胶及光刻机，预计三期大基金投资标的阶段，资本市场炒作以往的概念股力度不会太大，大妖股可能出现在HBM等高附加值DRAM芯片进行多层芯片堆叠、互联工艺中涉及的技术及光刻胶材料。
多层芯片堆叠互联绝缘的光刻胶企业值得关注：
PSPI光刻胶是HBM芯片封装中的关键材料之一，广泛应用于RDL图案化、绝缘层构建等环节，是当前先进封装工艺中不可或缺的核心耗材。
A股中明确布局PSPI（光敏聚酰亚胺）光刻胶的上市公司共5家：
强力新材（量产），飞凯材料（小批量），南大光电（验证中），上海新阳（送样中），晶锐电材（中试中）。
A股处于实验室阶段的pspi光刻胶企业：
国风新材（实验室在建）
