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Fri, 05 Dec 2025 16:38:36 +0800

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国家大基金三期2025年三季度开始投资阶段对二级市场投资机会

Tue, 23 Sep 2025 18:16:06 +0800

国家大基金三期已于2025年1月2日正式启动投资，首批出资金额高达1640亿元，主要投向两家子基金：华芯鼎新（北京）股权投资基金和国投集新（北京）股权投资基金。

三期投资方向：聚焦于半导体设备、材料、先进制造、AI芯片等关键领域，推动国产替代和产业链自主可控。

第一个投资标的：2025年9月，国投集新已计划出资不超过4.5亿元参与拓荆科技子公司拓荆键科的融资，可能成为大基金三期首个实际落地的半导体项目。

接下来机会还很多，毕竟资金规模3400亿，为一二期总和。

目前美国那边追赶的先进技术是英伟达，2025年下半年，英伟达（NVIDIA）最先进的研发方向集中在以下三大芯片方向，均围绕AI推理、大模型训练、具身智能与量子计算融合展开。预计三期大基金也会追赶这些现金技术的研发突破。重点关注HBM等高附加值DRAM芯片。

有了突破芯片技术的方向，那么研发它需要哪些光刻机和光刻胶材料呢？

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| **ArF干法光刻胶** | 193nm | 90nm~45nm | 是 |

| **干式光刻胶（Dry PR）** | 193nm | 1c nm | ✅ **三星2025年率先导入** |

还有一个需要关注的光刻胶就是 HBM封装涉及多层芯片堆叠与互连，传统芯片一般不涉及像HBM那样的多层芯片堆叠+TSV+RDL的“3D系统级互连”，它们更多采用单芯片封装或简单的多芯片并排（MCM）方案。

资本市场前期炒作过常规的光刻胶及光刻机，预计三期大基金投资标的阶段，资本市场炒作以往的概念股力度不会太大，大妖股可能出现在HBM等高附加值DRAM芯片进行多层芯片堆叠、互联工艺中涉及的技术及光刻胶材料。

多层芯片堆叠互联绝缘的光刻胶企业值得关注：

PSPI光刻胶是HBM芯片封装中的关键材料之一，广泛应用于RDL图案化、绝缘层构建等环节，是当前先进封装工艺中不可或缺的核心耗材。

A股中明确布局PSPI（光敏聚酰亚胺）光刻胶的上市公司共5家：

强力新材（量产），飞凯材料（小批量），南大光电（验证中），上海新阳（送样中），晶锐电材（中试中）。

A股处于实验室阶段的pspi光刻胶企业：

国风新材（实验室在建）

2025年9月18日晚，英伟达与英特尔芯片合作中美半导体竞争激烈

Fri, 19 Sep 2025 10:05:26 +0800

2025年9月18日，根据英伟达官网消息，其与英特尔合作。前段时间中国的寒武纪股价和市值创了新高。

2025年9月19日早盘竞价，国家大基金持股概念股竞价活跃。国家大基金投资最后一期规划的主要为突破卡脖子的半导体相关产业链。芯片、pcb、光刻机、光刻胶材料等。随着中美技术博弈及国家大基金战略规划，预计这些概念股票公司将持续得到资金关注。

算力与芯片高歌猛进之际不应该忽视电子化学品光刻胶

Tue, 16 Sep 2025 15:13:42 +0800

截至2025年9月16日，美国已有四家企业市值超过3万亿美元：

‌英伟达‌
市值4.34万亿美元，为全球市值最高的上市公司。 ‌

‌微软‌
市值3.97万亿美元，位居第二。 ‌

‌苹果‌
市值3.10万亿美元，排名第三。 ‌

‌谷歌‌
市值3.03万亿美元，成为第四家市值超3万亿美元的美国企业。

从上市企业差距来看，中国的半导体发展还有很大距离。前几天甲骨文因为AI服务器业务给财报带来亮眼业绩，股价大涨。随着AI产业的发展，我们不能忽视相关产业链的投资机会。

像国企一样投资的基础产业一样，比如电力、水利、燃气，宽带。这些基础渗透到千家万户，家家户户都用，都消耗。那么拿高科技的半导体，国家是通过成立大基金来投资的，三期重点是半导体产业。芯片固然会投，那么还不能忽视相关产业链，芯片最依赖的光刻机、光刻胶。尤其光刻胶种类太多了，这一块近期资本市场冷淡，但资本不会遗漏它，只要资本在并购、投资芯片，接下来一定是光刻胶需求的上升，给相关企业带来不菲的业绩。

所以这里拿一篇文章，本篇文章来自深圳电子商会网站，最终来源是：贤集网。

中国芯片的未来，或将受限于光刻胶，它是比光刻机更要命的存在。
业内专家预测，中国的芯片制造业务，未来将受一个因素制约，光刻胶。连华为都没能突破的技术，或许会卡住中国芯片产业的脖子。

光刻胶与芯片制造拥有怎样的因果关系？目前，我国对于光刻胶的市场占有率又是怎样的情况？

华为推出的“麒麟芯片”，让不少持续关注中国芯片制造的群众扬眉吐气。没有外援，中国如今也能产出完全属于自我的芯片产品。

相比于群众的骄傲和狂欢，业内专家则显得冷静许多。他们同样因为中国芯片的诞生而欣喜，但他们却无法不为芯片行业的未来而忧虑。

光刻胶：真正被卡脖子的环节

虽然一切都在往好的方向发展，但业内专家还是提出了令内行较为担忧的问题，光刻胶。

他们认为，真正要命的东西从来不是光刻机，而是光刻胶。后者，才是中国需要面临的真正卡脖子的关键因素。

光刻机可以从国外进口，现在我们也能自己搞研发。但光刻胶，我们却没有生产的技术和条件。原材料其实并不是问题，无法实现量产才是关键。

光刻胶行业的利润空间并不大，有可能技术类企业辛辛苦苦研究个五年十年，投入了几百万甚至上千万资金，最后的收入连时间和经济成本都没有办法覆盖。

在追求高效和高利润生产的今天，光刻胶很难在国内找到供应商。现阶段，我们85%左右的光刻胶，都只能依靠进口。国产光刻胶当然也有，可因为规格问题，中国企业吃过大亏。台积电曾经为了摆脱对光刻胶进口产业的依赖，尝试着自己研发生产了一批光刻胶。

他们根据已有的数据情况和材料配比范例，严格按照生产标准进行操作，最后成功获得成品。

只是，成品的规格经不起实践的检验。为了自己的突破，台积电也付出了巨大的代价。当季产出的大量芯片全部作废，由此而产生的直接或者间接的经济损失，超过了60亿人民币。而第一季度，他们的营收率下降了50%以上，市值也在不断下跌。

这次的代价直戳心窝，负责人或许产生了深深的心理阴影。从今以后，他也不敢再提研发一事，还是老老实实依靠进口维持生产。

光刻胶产业链高壁垒，多环节亟待突破

光刻胶产业链上游原材料主要由树脂、感光剂、溶剂、添加剂等组成，其中树脂和感光剂是最核心的部分，技术难度较大。溶剂和其他添加剂等技术难度较低，光刻胶厂商普遍通过外购获得。光刻胶产业链中游主要由光刻胶厂商进行光刻胶的配方调配和生产。光刻胶产业链下游应用主要分为半导体、LCD/OLED 显示面板及 PCB 制造。

1.树脂及单体、感光剂等材料性能要求高，技术难度大

光刻胶主要由树脂（Resin）、感光剂（Sensitizer）、溶剂（Solvent）及添加剂组成。从成分来看，根据《中国石油和化工》期刊的数据，光刻胶含量成分占比分别为溶剂 50-90%、树脂 10%-40%、感光剂 1%-8%、添加剂 1%。从成本来看，树脂占光刻胶总成本的比重最大，以 KrF 光刻胶为例，树脂成本占比高达约 75%，感光剂约为 23%，溶剂约为 2%。根据南大光电公告，在 ArF 光刻胶中，树脂以丙二醇甲醚醋酸酯为主，质量占比仅 5%-10%，但成本占光刻胶原材料总成本的 97%以上。光刻胶树脂是一种惰性聚合物基质，作用是将光刻胶中的不同材料粘合在一起。树脂决定光刻胶的机械和化学性质（粘附性、胶膜厚度、柔顺性等），树脂对光不敏感，曝光后不会发生化学变化。感光剂是光刻胶中的光敏成分，曝光时会发生光化学反应，是实现光刻图形转移的关键。溶剂让光刻胶在被旋涂前保持液体状态，多数溶剂会在曝光前挥发，不会影响光刻胶的光化学性质。

树脂是光刻胶原材料的最核心成分，成本价值量占比最高。树脂的结构设计涉及单体（树脂主要合成材料）的种类和比例，会直接决定光刻胶在特定波长下可以达到的线宽，也会影响 ADR（碱溶解速率）的特性，从而决定曝光能量（EOP）、EL（能量窗口），LWR(线宽边缘粗糙度）等等。此外，树脂的分子量、PDI（分散度）等也会影响光刻胶的胶膜厚度、耐刻蚀性、附着力等，即树脂的质量决定了光刻“成画”的水平，而树脂质量的稳定性决定了每一幅画的水平是否稳定。

高端光刻胶对树脂性能要求更高，各类光刻胶树脂难以通用。在光刻工艺中，线宽主要由 CD=k1*λ/NA 决定（K1：工艺的难易程度，k1 通常在 0.25~1 之间；λ：光源的波长；NA：投影透镜的数值孔径）。所以线宽和波长正相关，在其他条件不变下，光源波长越短，线宽越小。而光刻胶树脂在对应波长下需要满足透光、低吸收等要求，曝光波长越短，对树脂的性能要求越高。例如，ArF 光刻胶树脂的要求条件为：在 193nm 处具有低吸收，较高的光学透明性；具有较高的热稳定性能，且 Tg 温度介于 130-170℃；由于膜厚的不断减小，需要具有较高的抗蚀刻性能；具有酸敏感基团，可以运用化学增幅技术以降低曝光能量等等。因此，线宽越小，曝光波长越短，对应的光刻胶及树脂性能要求越高。酚醛树脂适用于 G 线和 I 线，其曝光波长为 G 线 436nm、I 线 365nm,但在 KrF 适用的 248nm 曝光光源处不透明，与产酸剂存在竞争吸收关系，光敏性较差；聚甲基丙烯酸甲酯和聚对羟基苯乙烯则在 248nm 处具有较高的光透过性和分辨率，因此被适用作 KrF 光刻胶树脂。类似地，KrF 光刻胶树脂在 ArF 的 193nm 曝光光源下具有较高的吸收性，也无法达到 ArF 光刻胶树脂的要求条件，不同曝光波长对应的光刻胶品类之间，树脂也需一一对应，难以通用。

光刻胶树脂单体用于合成光刻胶树脂，高端光刻胶树脂的对应单体成本更高。光刻胶制备链条顺序：①光刻胶树脂单体合成光刻胶树脂，②树脂和感光剂等光刻胶原料再加工，形成光刻胶。不同光刻胶类型都有相应的光刻胶单体，传统 I 线单体主要是甲基酚和甲醛，属于大宗化学品；KrF 单体主要是苯乙烯类单体，性状是液体；ArF 单体主要是甲基丙烯酸酯类单体，性状有固体也有液体。光刻胶单体的性能指标：包括纯度，水份，酸值，单杂，金属离子含量等指标。光刻胶单体和树脂的对应关系：不同光刻胶单体做成树脂的收率不同（收率:单位数量单体最终聚合而成的树脂数量）。高端光刻胶单体对应的单位树脂产能少。根据半导体产业网的数据，1 吨 KrF 单体大约会做出 0.8-0.9 吨 KrF 树脂；大约 1 吨 ArF 单体产生 0.5- 0.6 吨 ArF 树脂，而且 ArF 树脂需要多种单体聚合而成，每种单体的性能和价格存在差异。

半导体光刻胶单体合成技术难度大，稳定性、纯度要求高，价格贵。单体的合成工艺包括前道合成和后道提纯两道工艺。其中前道合成反应阶段的主要原料除主原料外还有甲醇、乙醇、二甲基甲酰胺等溶剂；后道纯化处理阶段的原料包括乙酸乙酯，甲基叔丁基醚等，这些材料国内有大量的供应商，量多且价格不高。半导体级光刻胶单体的合成具有一定的特殊性，与一般类单体差异体现在三方面： ① 半导体级光刻胶单体的合成技术难度更大。 ② 半导体级光刻胶单体要求质量更稳定，金属离子杂质更少。例如，半导体级单体纯度要求达到 99.5%，金属离子含量小于 1ppb（即 10 亿分之一）；而面板级别的单体结构是环氧乙烷类，纯度要求或仅 99.0%，金属离子含量最少小于 100ppb 即可。 ③ 半导体级光刻胶单体的价格远高于一般类单体。根据徐州博康公众号 2022 年发布的数据，普通 I 线单体 100-200 元/公斤，KrF 单体 500-1000 元/公斤，ArF 单体价格在 3000-10000 元 /公斤不等。

感光剂（光敏剂、光引发剂）是影响光刻胶性能的重要原料，不同品类的光刻胶用感光剂价差达数十倍。光分解型光刻胶（g 线、i 线）：采用含有重氮醌类化合物材料(PAC)作为光引发剂，经光照后发生光分解反应，用于制成正性光刻胶。光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光引发剂，经光照后形成不溶性的网状结构，起到抗蚀作用，用于制成负性光刻胶。化学放大光刻胶（KrF 光刻胶、ArF 光刻胶、EUV 光刻胶、电子束光刻胶）：采用光致酸剂（PAG）作为光引发剂，经光照后光致酸剂产生酸酸在后烘中作为催化剂，可以移除树脂的保护基因使树脂变得易于溶解。根据徐州博康公众号，PAC 在 i 线光刻胶原料占比为 1%-6%，单价在 600-700 元/kg。PAG 在化学放大型光刻胶（主要是 KrF 光刻胶、ArF 光刻胶）中占总成本的 10%-20%。KrF 光刻胶用 PAG 单价在 0.5-1.5 万元/kg，ArF 光刻胶用 PAG 单价约 1.5-30 万元/kg，价差可达 20 倍。

2.原材料依赖进口，国产供应商亟待突破

高端光刻胶原料进口难度高，国产替代需求紧迫。全球范围内光刻胶原料大厂主要来自日本，一类是自产树脂的光刻胶厂商，如信越化学、杜邦；另一类是专门生产原料的生产商，如光刻胶树脂厂商：东洋合成、住友电木、三菱化学等。光刻胶光引发剂厂商包括：巴斯夫、黑金化成、台湾优禘、国内的强力新材等。因此对于国内光刻胶厂商，实现高端光刻胶突破，需先解决原料稳定供应难题。 KrF 光刻胶树脂基本依赖进口：KrF 用聚对羟基苯乙烯类树脂，单体为对羟基苯乙烯的衍生物单体，此类树脂目前基本依赖进口，原因一是国产化难度高，生产树脂需要的单体国内只有很少厂家供应，同时光刻胶生产商和原材料供应商之间的业务关系一旦建立，就会在相当长的时间内保持稳定,供应链切换难；原因二是树脂的生产工艺有一定难度。 ArF 光刻胶树脂难以进口：根据徐州博康公众号，ArF 的树脂由几种单体共聚而成，定制化程度比较高，国际市场上能够买到部分普通款的 ArF 树脂，但高端的 ArF 树脂几乎没有购买渠道。

超净高纯试剂国产化率低，国内精细化工水平与海外差距较大。合成光刻胶过程中，需要丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯等高纯试剂。目前国际上公认的湿电子化学品杂质含量标准是 SEMI 国际标准，共分为五个等级。集成电路制造对于材料品质有较高要求，g/i 线光刻胶需要 G1 至 G3 SEMI 等级的超净高纯试剂，KrF 光刻胶需要 G3 至 G4 SEMI 等级的超净高纯试剂， ArF 光刻胶则需要 G4 SEMI 等级以上的超净高纯试剂。中国大陆大多数企业湿电子化学品产品等级在 SEMI G1 至 G2，部分企业在单一产品上达到 SEMI G3 级别，只有极少数企业个别产品达到 SEMI G4 以上级别，与世界领先水平还有较大差距。根据亚化咨询 2022 年公布数据，湿电子化学品的高端产品国产化率仅 10%左右。

3.制造端：高端光刻胶产品配方技术复杂，研发投入大，制备要求高

光刻胶由分辨率、对比度、敏感度、粘滞性黏度、粘附性、抗蚀性和表面张力等参数指标评估。 ①分辨率：是指区别硅片表面相邻图形特征的能力，在光刻胶上形成图案的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好； ②对比度：指光刻胶发生光化学反应时，从曝光区到非曝光区过渡的侧壁陡度，侧壁越陡，对比度越好； ③敏感度：指在光刻胶上形成一个良好图形所需一定波长光的最小曝光量，对于波长更短的深紫外光和极紫外光，光刻胶的敏感度更为重要； ④粘滞性：黏度用来衡量光刻胶流动特性，光刻胶中溶剂越少，粘滞性越高； ⑤粘附性：指光刻胶粘着于衬底的强度，粘附性需要经受住后续的刻蚀、离子注入等艺，以保证硅片表面的图形不会变形； ⑥抗蚀性：指光刻胶的耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力，以保证在后续刻蚀工序中能够保护衬底表面； ⑦表面张力：指液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力，光刻胶基于流动性和覆盖的考虑，要求具有比较小的表面张力。

壁垒一：配方复杂，无法通过现有产品反推配方，不同光刻胶配方差异大。光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等不同性质的原料，通过不同的排列组合，经过复杂、精密的加工工艺而制成，是一项经验型学科，无法通过现有产品反向推断原材料配方。以 EUV 光刻胶为例，EUV 光刻胶有多种技术方向，如有机无机杂化体系、将酸敏感基团引入聚合物主链等。国内目前能同时达到具有高灵敏度、高分辨率、低 LWR（线宽粗糙度）且成本较低、易于工业化生产的 EUV 光刻胶体系还在研究阶段，未量化生产。

壁垒二：前期研发投入高昂，高端光刻机设备进口受限。光刻胶研发费用高，设备支出投入巨大。光刻胶厂商需要购买光刻机用于内部配方测试，根据验证结果调整配方。根据 2021 年晶瑞电材公告，单一台 ArF 光刻机需支出 1.5 亿元，设备总支出为 3.4 亿元。根据国际光刻机巨头 ASML 公告，2022 年 ASML 公司单台 EUV 光刻机平均售价在 1.76 亿欧元，ArFi 浸没式光刻机平均售价在 0.65 亿欧元。另一方面，高端光刻机依赖进口，影响产品研发进度。自 2019 年 12 月瓦森纳协议修订以来，美国、日本等成员国对我国半导体出口一般按照 N-2 原则审批，即比最先进的技术晚两代。根据半导体产业纵横的数据，光刻机国外厂商的交期是 3～5 年，不确定性增加。国内进口高端光刻机受限，阻碍了和光刻机相配套光刻胶的研发突破。

壁垒三：产品稳定性难控制和洁净度要求高。高端光刻胶的制备过程需要严格控制产品稳定和金属杂质含量。光刻胶生产工艺采用分步法以保证各生产批次间的稳定性。主要制造流程为： ①分别生产高感度光刻胶半成品和低感度光刻胶半成品。 ②取样检测后进行配合比试验。 ③针对不同树脂原料进行配方调整以保证产品的感度稳定，同时调整溶剂配比以保证产品的膜厚稳定，当产品达到相应的感度和动粘度规格后，配方调整结束。 ④产品调整结束后，进行循环过滤，以保证产品的洁净度（控制产品中的粒子数），并得到最终产品。

4.需求端：半导体光刻胶品类需求多，导入认证周期长

芯片制程越高，所使用的光刻胶品类越多。集成电路为多层结构，相同层的工艺方案没有规定一致，因此不同的制造厂会采用不同的光刻方案。以鳍式场效应晶体管（FinFET）的半导体逻辑器件为例，从下到上每一层的图形实现都需要依赖不同的光刻技术，从而需要不同的光刻胶： ①前道工艺关键层鳍式（Fin）和栅（Gate）采用氟化氩（ArF）浸没式（波长 193nm）双重投影光刻技术实现，对应使用 ArF 浸没式光刻胶； ②如需进行切割，切割层（Cut Layer）采用极紫外（EUV，波长 13.5nm）光刻技术实现，对应使用 EUV 光刻胶； ③中道工艺（MOL）连接层 C（Contact Layer）采用 ArF 浸没式三重投影光刻技术或极紫外光刻技术实现，对应使用 ArF 浸没式光刻胶或 EUV 光刻胶； ④后道工艺（BEOL）。一是关键层的 V1/V2（通孔）和 M1/M2（金属）采用 ArF 浸没式双重投影光刻或 EUV 光刻技术实现，对应 ArF 浸没式光刻胶和 EUV 光刻胶。二是后道工艺非关键层分别采用 ArF 干法、氟化氪（KrF，波长 248nm）和 i 线（I-line，波长 365nm）等光刻技术实现，分别对应 ArF 干法光刻胶、KrF 光刻胶和 i 线光刻胶等。

先进封装 g/i 线光刻胶、PSPI 光刻胶用于 Bumping、RDL、TSV 等先进封装工艺环节。与 IC 制造时使用的 g/i 线光刻胶相比,大多数封装技术中所用到的光刻胶层要厚很多，一方面是由于先进封装对精度要求相对晶圆制造环节低，另一方面是由于凸块需要厚涂。根据中国电子材料行业协会的数据，2022 年中国集成电路 g/i 线光刻胶市场规模总计 9.14 亿元，预计 2025 年将增长至 10.09 亿元；其中集成电路封装用 g/i 线光刻胶市场规模 5.47 亿元，预计 2025 年将增长至 5.95 亿元。先进封装 g/i 线正性光刻胶可用于先进封装 Bumping 工艺中图形转移、线路重排（RDL）、TSV 技术；先进封装 g/i 线负性光刻胶用于先进封装 Bumping 工艺中。凸块制作封装光刻胶 PSPI 是一种光敏性聚酰亚胺材料，兼具光刻胶的图案化和树脂薄膜的应力缓冲、介电层等功能，类似于有图案的介电薄膜，可用于 Bumping 和 RDL 等先进封装工艺流程中。根据中国电子材料行业协会数据，2021 年中国集成电路晶圆制造用 PSPI 市场规模 7.12 亿元，预计到 2025 年将增长至 9.67 亿元。

下游客户端导入及验证周期长，国产头部厂商具有自主替代先发优势。由于光刻胶的质量稳定直接影响芯片良率，集成电路制造企业对光刻胶的使用谨慎，从实验室样品到产线样品都需要在客户端进行反复多次的测试验证，才能确定光刻胶产品的基本配方，验证周期一般在 2-3 年。客户产品验证过程需要经过四个阶段：PRS（基础工艺考核）、STR（小批量试产）、 MSTR（中批量试产）、RELEASE（量产）。在四个阶段的测试验证都顺利通过的前提下，才有机会获得芯片生产公司的订单。因此，对光刻胶厂商来讲，验证周期长，会光刻胶研发项目开始产生销售回报的时间变长，变相增加前期投入成本，并且存在产品开发出来但客户认证计划拖后、无法实行客户认证计划或无法通过客户认证的风险。因而我们认为，率先成功在客户端导入并形成量产突破的国内光刻胶厂商，有望在国产化过程中占据先发主导地位，保证相对较高的客户端份额。

影响光刻胶用量的因素

光刻胶的用量，即体积，体积越大，则用量越大。而留存在晶圆上的光刻胶体积可以近似等于晶圆的面积x光刻胶厚度。那么直观影响因素是晶圆的尺寸与光刻胶的胶厚。

匀胶方式：目前流行的匀胶有静态旋转法和动态喷洒法。静态旋转法是指在开始旋转晶圆之前，将一定量的光刻胶滴在静止的晶圆中心。然后启动旋转，利用离心力将光刻胶均匀铺展到整个晶圆表面。动态喷洒法指的是在晶圆旋转的同时，通过喷嘴动态地喷洒光刻胶到旋转中的晶圆上。喷洒的位置和速率可以精确控制，以实现匀胶的均匀性。动态喷洒法的光刻胶使用效率更高，所需的光刻胶更少。

影响光刻胶厚度的因素

设计的要求：光刻胶不能太厚或太薄，需要按制程需求来定。比如对于需要长时间蚀刻以形成深孔的应用场景，较厚的光刻胶层能提供更长的耐蚀刻时间；对于线宽较小的图形，过厚的光刻胶则会影响制程的精度。

旋涂速度和时间：旋涂速度增加使离心力变大，多余的胶液被甩出晶圆边缘，光刻胶的厚度会变薄。延长旋涂时间可以使光刻胶层更平整，但对厚度的影响相对有限，因为一旦达到稳定状态，胶层厚度基本不再改变。

光刻胶黏度：随着光刻胶黏度的增加，其流动性降低，使得在旋涂过程中较难被离心力甩出晶圆边缘。结果是在给定的旋涂条件下，较高黏度的光刻胶会形成较厚的胶层。

如何减少光刻胶用量？

设计合理的胶厚；

选择合适的光刻胶种类，黏度等；

选择临界的均胶转速，在保证质量的前提下，适当降低匀胶速度。低转速少量滴胶就可以达到高转速大量滴胶的厚度；

找到临界的滴胶量与滴胶速率，在晶圆转速固定的情况下，提⾼滴胶速率可以显着减少光刻胶的使⽤量；

优化涂胶方式，运用动态喷洒法进行匀胶

光刻胶黏度如何测量？

刻胶在未曝光之前是一种黏性流体，不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻胶算高黏度，哪些算低黏度呢？

需要注意的是cP和cSt并非国际单位，换算时，先换算为国际单位制，再将运动粘度乘以介质所在温度下的密度kg/m³即可得到对应的动力粘度。

动力粘度单位：1cP（厘泊）=0.01P(泊)=1mPa·s=0.001Pa·s=1kg/（m*s）。

运动粘度单位：1cSt（厘斯）=0.01St(斯)=1m㎡/s=0.000001㎡/s=0.0036㎡/h。

以甘油为例，20℃时粘度1500cp左右，密度为1261kg/m³，换算为St（斯）。

1500×0.001Pa·s/1261=1.1895*10(-3次方)㎡/s。因为1St(斯)=0.0001㎡/s，计算得11.895St=1189.5cSt。

粘度影响因素：

对于气液相，温度升高，粘度会下降；对于气体，压力升高，分子间力增大，粘度也会升高。溶液浓度越高，粘度越大！所以部分高粘度液体输送时需要加热，降低粘度和管道阻力，便于输送。

光刻胶黏度的重要性？

光刻胶的黏度会影响到涂层的厚度和均匀性。不同的产品应用需要不同厚度的光刻胶涂层。

半导体制造中，当特征尺寸进入亚微米或纳米级别时，需要使用低粘度的光刻胶。低黏度光刻胶在晶圆上流动性强，旋涂时，低黏度光刻胶能够迅速铺展，形成较薄且均匀的涂层。薄胶能够减少光学衍射效应，有利于高分辨率的图案制作。在微机电系统（MEMS）、微流体器件等中，需要使用高黏度的光刻胶，一般可以达到几微米到几十微米厚。在干湿法刻蚀中，厚的光刻胶层可以作为掩膜，保护下方的材料不被蚀刻剂侵蚀。但是，随之而来的问题是，旋涂时间，曝光时间，显影时间都在相应增加，控制难度变大，而膜层的均匀性却在下降。

光刻胶黏度如何测量？

光刻胶供应商一般会要求晶圆厂在生产过程中多次测量流体粘度，以确保产品质量。我们会使用在线的黏度计持续地对光刻胶的黏度进行测量。为什么不是将样品采集出来离线测量？为了进行离线测量，需要从生产过程中提取样品，这导致生产的暂时中断。且由于处理和分析时间的延迟，离线测量无法提供即时的反馈。

光刻胶概念股：

鼎龙股份、南大光电、彤程新材、晶瑞电材、上海新阳、久日新材、强力新材、扬帆新材、圣泉集团，目前还存在概念阶段实验研发阶段的还有国风新材，股价相对低位，今日收盘6.61，历史高位在14.57元，从投资角度，当然概念阶段的投资潜力相对大。未来试验报告ok，资本市场势必抬高股价，试验后，还有量产，量产后给企业带来业绩改善，实现盈利可期。

2025年8月光刻胶国际投资及发展动态汇总

Thu, 11 Sep 2025 19:44:48 +0800

截至2025年9月，光刻胶领域国际层面最新动向如下，涵盖市场、政策、技术和企业四方面：

1. 全球市场持续扩张

- 商业咨询公司TECHCET预计2024年全球光刻胶市场反弹7%，规模约25.7亿美元，2022-2027年复合增速4.1%；其中EUV与KrF品类增速最快。

- 日本研究机构进一步细化：2024年光刻胶工厂与半导体器件工厂用光刻胶市场规模预计1,425亿日元，2025年增至1,523亿日元(+6.9%)，EUV光刻胶被视为主要增量来源。

2. 国际政策/资本动向

- 2025年8月，美国政府斥资89亿美元收购英特尔9.9%股份，成为其最大股东，显见对半导体供应链安全的高度介入。

- 日本2023年3月前曾限制对韩、中部分光刻胶出口，目前部分限制已放松，但地缘政治因素仍在推动中、韩本土替代。

3. 海外工艺与材料创新

- 泛林集团(Lam Research)公布“干式光刻胶”成果：以<0.5nm金属有机微粒气相沉积，可在逻辑芯片后道实现28nm间距直接图案化，宣称能同时降低EUV曝光剂量与缺陷率。

- 富士胶片发布环保型“无PFAS负性ArF浸没式光刻胶”，通过自有疏水分子设计，在28nm金属布线制程中实现高良率，已通过imec评估并送客户验证。

- 日本王子控股从木材提取生物质前驱体，开发面向2nm节点的“木基光刻胶”，旨在降低石化依赖并提升环保表现。

4. 外资企业产能布局

- 光刻胶龙头JSR在韩国建设的EUV用MOR(Metal Oxide Resist)工厂正式动工，预计2026年投产，可就近供应三星、SK海力士。

- 瑞红苏州宣布投资1,000万美元在日本设立全资子公司，强化国际市场与技术研发触角。

5. 价格与供应链信号

- 2023年底日本住友化学子公司东友精密化学已向韩企发出涨价通知，KrF及L系列光刻胶价格上调10%-20%，成本压力与供应链安全双重因素推高市价。

综合来看，全球光刻胶市场正随先进制程和EUV扩产而加速扩容；美、日政策与资本动作频繁，技术方面干式、无PFAS及生物质光刻胶成为新的创新焦点；日本厂商仍握有75-90%市场份额，但韩国、中国大陆的本土化产线建设正在提速，供应链多极化趋势愈发明显。

截至2025年9月，在A股市场中，被多家券商与媒体反复点名、**“产品线明确覆盖EUV或KrF光刻胶”**的核心概念股如下，供快速对标（按产业链环节及光刻胶品类归类，括号内为近期进展要点）：

一、KrF光刻胶概念股（已量产/放量）

1. 彤程新材 603650

- 旗下北京科华KrF市占率≈40%，12条产线满产；ArF已量产，EUV封装胶处研发。

2. 晶瑞电材 300655

- KrF胶实现吨级出货，ArF进入客户验证；G/I线胶国内市占率第一。

3. 上海新阳 300236

- KrF胶通过中芯国际28nm验证，同步布局晶圆级封装厚膜胶。

4. 容大感光 300576

- KrF完成中试，12英寸晶圆用胶技术领先，已切入长江存储。

二、EUV光刻胶概念股（验证/小批量）

1. 彤程新材 603650

- 与ASML合作开发5nm EUV胶，树脂+配方同步推进，国内进度最快。

2. 南大光电 300346

- 国内唯一实现28nm ArF规模化量产企业，EUV胶处于客户端中试验证。

3. 华懋科技 603306（参股徐州博康）

- 通过单体优势（全球80%份额）切入EUV树脂，已送样国际龙头。

4. 八亿时空 688181

- 浙江上虞百吨级KrF树脂刚下线，同步储备EUV树脂，被视作EUV上游“备胎”。

三、关键上游原材料（光引发剂/树脂/单体）

久日新材 688199：阳离子光引发剂已小批量供高端EUV/KrF评测。

强力新材 300429：PCB+半导体光引发剂全覆盖，KrF/EUV级树脂单体已送样。

圣泉集团 605589：酚醛树脂全球前三，向JSR、信越供KrF/EUV用树脂。

怡达股份 300721：丙二醇甲醚等EUV/KrF溶剂主力供应商。

四、短线资金关注度最高的“七小龙”

（多家媒体8月集中盘点，量价配合度高）

南大光电、彤程新材、晶瑞电材、容大感光、上海新阳、华懋科技、久日新材。

> 风险提示：EUV胶目前仍处“中试验证→小批量”过渡期，对业绩贡献有限；KrF竞争趋于白热化，需跟踪下游晶圆厂库存及价格变化。概念股波动大，投资需谨慎。

华为正在通过一家海外合资公司进军芯片化学品-光刻胶

Thu, 04 Sep 2025 19:14:49 +0800

2025年9月3日光刻胶板块出现资金异动。

华为是一家默默投入时间和精力开发尖端技术的典型案例。如今，这家中国科技巨头正进军一个新领域：芯片制造化学品-高端光刻胶。

据日经亚洲的郑廷芳报道，中国一家被美国视为安全威胁的HW公司正在支持一家旨在为重要材料和化学品提供“端到端”解决方案的合资企业。这其中包括进军高端光刻胶市场，该市场长期以来一直由日本的信越、JSR和TOK主导。光刻胶用于集成电路印刷工艺，这是芯片生产的关键步骤。

这家名为珠海基石科技的新公司在过去两年中聘请了来自日本、韩国和台湾的经验丰富的专业人士，并在深圳和珠海等中国各地拥有生产线和研发中心。

芯片材料和化学品需要达到最高的等级和纯度，它们与芯片制造设备一样，在决定芯片生产的整体质量方面至关重要。

本条新闻来自海外消息。https://asia.nikkei.com/techasia/huawei-s-chemical-push-and-asia-eyes-harvard-talent

小米有线耳机单独按键使用说明

Fri, 14 Mar 2025 08:13:23 +0800

来电场景：

单击按键：接听，长按按键：挂机

通话场景：

单击按键：麦克风静音，长按按键：拒绝

音乐场景：

单击按键：播放或暂停，双击：下一曲，三击：上一曲。

【科研】新冠肺炎疫情期间与海外机构联合研发出一款过滤颗粒及杀灭病毒、病原微生物的过滤(0.3微米级)装置

Mon, 10 Mar 2025 17:33:14 +0800

2022年新冠肺炎疫情期间，我与海外某机构制作了设备的样品寄往美国一家实验室，目前已经通过检测，达到预期标准merv13 。专利正在申请。

本装置将为人群密集的公众场所（机场高铁医院学校商场）等提供清洁空气，过滤颗粒的同时，杀灭空气中的病毒（新冠肺炎病毒过滤的口罩标准是pm2.5），我们研发的过滤装置实现了0.3微米级别过滤。

以下为其中一张特效图片。欢迎感兴趣的研发机构及空调机构、过滤装置科研单位欢迎取得联系合作。或许再有疫情大爆发能派上用场。

（本条消息广告长期有效，我本人负责其中一种材料的制备，所以长期关注病毒过滤杀灭技术）

微信：wangqime ，如有缘遇到此贴，加好友务必备注：病毒过滤关键字。毕竟属于小众需求，一般人不接触这方面。

tensorflow神经网络环境部署回忆

Tue, 04 Mar 2025 19:07:51 +0800

anaconda python pycharm安装

安装完毕anaconda后如何检测安装成功呢（windows环境）

通过windows自带的cmd命令调出终端，使用命令 conda list查看安装的环境有的包

查看python目录：where python

一些感言

Wed, 08 Jan 2025 22:50:57 +0800

这些写出来，也希望能让更多单身青年男女早日成家。

马上就要开展第二期的青春期教育及婚姻家庭教育培训班啦！虽然经济不景气，但全国各地的老师学习热情不减，我们的陈一筠教授八十五岁高龄还在紧张忙碌修改调整课件。这也是她本命年要了却的心愿，陈教授整整大了我四轮。

今晚八点去陈一筠教授家，听陈教授修改课件的需求及插图配图需求，完事，陈教授分享了一些她的个人经历，劝我（今年36周岁）尽快把结婚的事情解决，这已经是第几次劝催了，或许，不是或许，是肯定很多当事人的家长都心急如焚，家长是过来人，他们深切体会家的重要，伴侣的必须，更期待自己的孩子尽早享受幸福的婚姻生活，孩子不成家，他们比孩子发愁，影响情绪，而癌症的因很大比例是情绪。

陈教授除了分享做科学研究走访多个国家，对外国制度的失望，相比之下对中国14亿人口大国居民幸福而颇感欣慰，中国老百姓相比外国是幸福的。另外分享多的就是感情与家庭婚姻。

她本人出访国外做研究，老伴作为国企的工程师跟她工作出访过四个国家（海外学校、机构邀请陈教授都是邀请家人一起过去的），不过作为皇室后裔，可能姜伯伯更习惯皇城根下的惬意生活，后来没有再随妻子出国过了。两夫妻在那个年代为了相伴，作为男士也有工作，最长跟随妻子出访外国最长的时间是2个月，姜伯伯付出了一定代价（这个是我自己的评论）。陈教授给我的印象，女主外男主内的家庭。

再分享两个为家、为家庭做出牺牲的两个经历。

陈教授的弟弟是华润集团下一个外贸公司的领导，负责出口中国的土特产、皮毛给西欧等海外国家，陈教授是精通多国语言的，当时陈教授工资300元每月，她的弟弟想邀请她做公司副总，担任翻译工作，薪酬待遇3000美金每月，赠与别墅。要知道这个时候，在那个年代陈教授是住着8平米的房子过日子的。她今天讲，当时的那种待遇是非常诱人的，但她拒绝了，她经常跟我讲，跟她的学生讲，人的基本需求是有限的，吃的东西就那么点，吃多了反而得一些富贵病。人的欲望也不宜膨胀，像那些贪官，几亿、几十亿，她说她有这么多，都发愁怎么花出去呢。在她弟弟的如此优厚待遇吸引下，她还是选择了做自己喜欢的社会科学研究。

第二个经历是哈佛大学邀请陈教授任职，薪酬待遇是15万美金一年，此时陈教授的薪酬是600元每月，陈教授到老去过很多国家，她也了解在美国做二等公民的感受，当地人对外国人的眼色、态度。这一次她还是选择了跟老伴在国内生活、工作。

也难得，陈教授出身书香世家，父母就是老师，从小受父母的影响，个人价值观形成。加上自己又是研究社会科学（我在一本书中看到社会科学研究主要是家庭婚姻性人口城市发展这些社会问题），她把家庭看得很重，这也就是呼应前边她多次劝催我尽早解决婚姻大事。

听过一次陈教授的课，在其家住过几个晚上的时候在其书房看了些书受到影响，也想成家，这个想法是多方面刺激影响的。

10月份来大爱书院，天气暖的时候，午餐后，跟这里的老人有时候聊天，遇到过这样一个典型的，她是美籍华人，做计量科学研究的，现在人老回国，她表达了老板去世后的孤独，在美国居住，孩子们都工作了，就剩下一个人，选择了回国，回国这里的养老中心还有老人们说话聊天打发时间，这叫我想起陈教授说的人是群居动物，那么就不应该违背生物规律群居生活。看到养老院的成对老人，颇感他们的天伦之乐，共享晚年，颇为幸福。

男女结合除了性的生理需求享受性的快乐感，通过性释放工作生活的压力，大部分时间陪伴彼此不孤单，一起吃饭、一起散步、下班后回家有说有笑，孩子的增添，给两口子带来一家三口的快乐，一起倾诉，一起去看双方父母享受节日的幸福，这些小小幸福外人不能给予，外人、同事无法替代成为另一半。

加上最近朋友的经历，更加刺激自己内心，感受到成家有伴的必要。

一件事是我一个15年前认识的朋友，正好这个朋友在香河，我恰好来香河工作，就打招呼了跟她，她叫我感动过因为，15年前我在张家口上大学，张家口大家都知道，寒冷。那个时候大家喜欢玩QQ，添加好友，青春期嘛，对异性向往，两性像磁铁一样吸引，男孩喜欢通过qq找女孩，这个时候我通过QQ加上的这位朋友。有一次她去银行排队给供应商转账，那会网银不流行，排队期间，我们qq聊天了，我知道了她的需求，给这个网友转了500元，这对刚上大学的人讲500元挺大一笔钱的，我那会还真怕被骗了。然而这笔钱不久就归还我了。那这样，这种网友的考验，使我对她信任，认可这个人，她很善良。她后来知道我张家口读大学，冬天给我和她老公各织了一条围巾，一条黑色的一条白色的，我选择要黑色的。一个实物的赠送，确实是实在的，每年冬天基本都记起这位朋友。来到同一个城市，确实应该见一面，这一缘分等了15年。也因为她病了要做手术该看望，这也是刺激内容的事情，有了伴侣，当重要疾病的时候，陪你的不是普通朋友、普通同事，而是家人、伴侣，这一动手术，老公又是陪伴左右、又是跑医院各窗口了。

另一个事情，是我哥们的妻子，也是近期动手术，这是一个大手术，吓坏了我哥们，也把嫂子吓坏了，差点夺去生命，两口子还有两个孩子。现在的癌症越来越年轻化了。生命面前，一切都是浮云，唯有伴侣第一陪伴。

近期的看到的、发生在朋友身上的，都在刺激着我想找一个伴侣成家，而后立业。以前创业总想着先立业后成家，现在这种思想已经改变了，成家了，有了伴，责任心更强，奋斗之心更强。

补充：想到当下青年男女工作压力大，你们想过国企、企事业单位的悠哉生活嘛，他们可以上班打牌、看剧，按点下班了享受生活。而现在市场竞争下，每一个资本家、民营企业家就只谈效益了恨不得他的职工24小时干活干活再干活，机械性质的职工态度，缺少了人情味。

声明：以上一己之言，包含了个人感情色彩。

微客居

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